名古屋工業大学 大学院工学研究科 機能工学専攻

エレクトロニクス分野のスタッフ

教授

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氏名リンクE-Mail研究テーマ
市村正也 ichimura.masaya 1 化合物半導体薄膜の電気・光化学堆積と太陽電池の作製
2 半導体材料の新しい評価技術
江川孝志 egawa.takashi 1 MOCVD法,MOMBE法による化合物半導体の薄膜結晶成長の研究
2 シリコン上のGaN・GaAsレーザ,FETの研究
3 極微構造デバイスによる高効率光電変換の研究
江龍修 eryu.osamu 1 イオン注入と光プロセシングによる深部新物質創製
2 ハード半導体材料による食べ物センサー創製
3 半導体及びセラミクス材料の新機能ナノ構造面創製
大原繁男 ohara.shigeo 希土類化合物の結晶合成および多重極限条件下での電子物性
前田雅輝 maeda.masaki 1 強誘電体、圧電体の物性とその応用
2 強誘電体薄膜の作成とその特性評価
3 液晶の誘電及び光学特性
壬生攻 k_mibu 1 新奇人工合金・化合物の探索
2 薄膜・人工格子・ナノ構造体を利用した物性研究
3 スピンエレクトロニクスに向けての人工ナノ物質開発
三好実人 miyoshi.makoto 1 MOCVD法を用いた窒化物半導体の結晶成長に関する研究
2 窒化物半導体を用いた紫外線発光・受光デバイスの研究
3 窒化物半導体を用いた太陽電池の研究
安田和人 yasuda.kazuhito 1 II-VI族化合物半導体の結晶成長とその物性評価
2 赤外域オプトエレクトロニクス素子の研究
3 II-VI族半導体放射線検出デバイスの研究

准教授

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氏名リンクE-Mail研究テーマ
安部功二 abe.koji イオン注入法による半導体の改質,電気的特性評価
岩田真 miwata 1 強誘電体及び強誘電体薄膜の構造相転移と物性
2 走査プローブ顕微鏡によるドメイン観察
加藤正史 kato.masashi 1 ワイドギャップ半導体の評価とそれを用いた新規デバイスの開発
2 ワイドギャップ半導体を用いた人工光合成技術の開発
3 新規機能を有するアナログ集積回路の設計
ニラウラ マダン m.niraula 1 MOVPE法によるCdTe系II-VI 族半導体の成長
2 II-VI 族半導体の電気及び光学的特性評価
3 医療用大面積エックス線,ガンマ線画像検出デバイスの開発
分島彰男 wakejima.akio 1 窒化物半導体トランジスタの研究
2 窒化物半導体デバイスプロセスと評価技術の研究

助教

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氏名リンクE-Mail研究テーマ
青柳 倫太郎 aoyagi 1 圧電セラミックスのプロセッシングおよび評価
2 鉛フリー電子セラミックスの開発
3 多元機能酸化物材料の創成と評価
久保俊晴 kubo.toshiharu 窒化物半導体表面・界面の物性評価
田中雅章 mtanaka 1 ナノ強磁性体を用いた電子デバイスの開発
2 ナノ強磁性体によるスピン流の生成・検出に関する研究
松本裕司 matsumoto.yuji 1 希土類化合物の結晶育成と新物質探索
2 強相関f電子系金属化合物の電子状態の研究